①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的 俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。
②俄歇電子只能從20埃以內的表層深度中逃逸出來，因而帶有表層物質的信息，即對表面成份非常敏感。正因如此，俄歇電子特別適用于作表面化學成份分析。
