由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業界常用的測量方法有：
虛擬測量（Virtual Metrology）
光譜測量（Optical emission spectroscopy）
等離子阻抗監控（Plasma impedance monitoring）
終端探測（end-point detection）
遠程耦合傳感（remote-coupled sensing）
控制方法
run-to-run 控制（R2R）
模型預測控制（MPC）
人工神經網絡控制