紫外可見吸收光譜的基本原理是利用在光的照射下待測樣品內部的電子躍遷，電子躍遷類型有：
（1）σ→σ* 躍遷 指處于成鍵軌道上的σ電子吸收光子后被激發躍遷到σ*反鍵軌道
（2）n→σ* 躍遷 指分子中處于非鍵軌道上的n電子吸收能量后向σ*反鍵軌道的躍遷
（3）π→π* 躍遷 指不飽和鍵中的π電子吸收光波能量后躍遷到π*反鍵軌道。
（4）n→π* 躍遷 指分子中處于非鍵軌道上的n電子吸收能量后向π*反鍵軌道的躍遷。
電子躍遷類型不同，實際躍遷需要的能量不同：
σ→σ* ～150nm
n→σ* ～200nm
π→π* ～200nm
n→π* ～300nm
吸收能量的次序為：σ→σ*>n→σ*≥π→π*>n→π*
特殊的結構就會有特殊的電子躍遷，對應著不同的能量（波長），反映在紫外可見吸收光譜圖上就有一定位置一定強度的吸收峰，根據吸收峰的位置和強度就可以推知待測樣品的結構信息。
