ICPMS,ICPAES,GFAAS干擾問題

ICP-MS的干擾

1． 質譜干擾

ICP-MS中質譜的干擾（同量異位素干擾）是預知的，而且其數量少于300個，分辯率為0.8amu的質譜儀不能將它們分辯開，例如58Ni 對58Fe、 40Ar對40Ca、 40Ar16O對56Fe或40Ar-Ar對80Se的干擾（質譜疊加）。元素校正方程式（與ICP-AES中干擾譜線校正相同的原理）可用來進行校正，選擇性地選用一些低自然豐度的同位素、采用“冷等離子體炬焰屏蔽技術”或“碰撞池技術”可有效地降低干擾影響。

2． 基體酸干擾

必須指出，HCl 、HClO4、H3PO4和H2SO4將引起相當大的質譜干擾。Cl+ 、P+ 、S+離子將與其他基體元素Ar+ 、O+、H+結合生成多原子，例如35Cl 40Ar對75As 、35Cl

16O對51V的疊加干擾。因此在ICP-MS的許多分析中避免使用HCl 、HClO4 、H3PO4和H2SO4是至關重要的，但這是不可能的。克服這個問題的方法有：“碰撞池技術”、在試樣導入ICP之前使用色譜（微栓）分離、電熱蒸發（ETV）技術等，另外一個比較昂貴的選擇是使用高分辯率的扇形磁場的ICP-MS，它具有分辯小于0.01amu的能力，可以清除許多質譜的干擾。

ICP-MS分析用的試液通常用硝酸來配制。

3．雙電荷離子干擾

雙電荷離子產生的質譜干擾是單電荷離子M/Z的一半，例如138Ba2+對69Ga+，或208Pb2+對104Ru+。這類干擾是比較少的，而且可以在進行分析前將系統最佳化而有效地消除。

4． 基體效應

試液與標準溶液粘度的差別將改變各個溶液產生氣溶膠的效率，采用基體匹配法或內標法可有效地消除。

5． 電離干擾

電離干擾是由于試樣中含有高濃度的第I族和第II族元素而產生的，采用基體匹配、稀釋試樣、標準加入法、同位素稀釋法、萃取或用色譜分離等措施來解決是有效的。

6．空間電荷效應

空間電荷效應主要發生在截取錐的后面，在此處的凈電荷密度明顯的偏離了零。高的離子密度導致離子束中的離子之間的相互作用，形成重離子存在時首先損失掉輕離子，例如Pb+對Li+3。基體匹配或仔細在被測物質的質量范圍內選用內標有助于補嘗這個影響，但這在實際應用是有困難的。同位素稀釋法雖有效，但費用高，簡單而最有效的方法是稀

釋樣品。

ICP-AES干擾

1．光譜干擾

ICP-AES的光譜干擾其數量很大而較難解決，有記錄的ICP-AES的光譜譜線有50000多條，而且基體能引起相當多的問題。因此，對某些樣品例如鋼鐵、化工產品及巖石的分析必須使用高分辯率的光譜儀。廣泛應用于固定通道ICP-AES中的干擾元素校正能得到有限度的成功。ICP-AES中的背景較高，需離線背景校正，應用動態背景校正對增進準確度是很有效的。各種分子粒子（如OH）的譜峰或譜帶對某些低含量的被測元素會引起一些分析問題，影響其在實際樣品中檢出限。

在ICP-MS中的背景是相當低的，典型的是小于5 C/S（計數/秒），這就是ICP-MS具有極好的檢出限的一個主要理由。

2．基體效應

與ICP-MS一樣，ICP-AES可以應用內標來解決例如霧化室效應、試樣與標準溶液之間粘度差異所帶來的基體效應。

3．電離干擾

仔細選用每個元素的分析條件或加入電離緩衡劑（如過量的I族元素）可以減少易電離元素的影響。

GFAAS干擾

1．光譜干擾

使用氘燈背景校正的GFAAS有少許光譜干擾，但使用Zeeman 背景校正的GFAAS能去除這些干擾。

2．背景干擾

在原子化過程中，針對不同的基體，應仔細設定灰化步聚的條件以減少背景信號。采用基體改進劑有助于增加可以容許的灰化溫度。在很多GFAAS應用中，與氘燈扣背景相比，Zeeman扣背景可得到更好的準確度。

3．氣相干擾

這是由于被測物質的原子蒸汽進入一個較冷的氣體環境而形成的。現在采用等溫石墨管設計和平臺技術，試樣被原子化后進入一個熱的惰性氣體環境，可有效減少這種干擾。

4．基體效應

基體效應是被測物質在石墨管上不同的殘留而生成的，它取決于樣品的種類，應用基體改性劑和熱注射能十分有效地減少這些影響。