碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，因而被認為是最有前景的下一代晶體管材料。碳納米管的超小空間使得它能夠快速改變流經它的電流方向，因此能達到5倍于硅晶體管的速度或能耗只有硅晶體管的1/5。由于一些關鍵技術挑戰無法攻克，碳納米晶體管的性能表現遠遠落后于硅晶體管和砷化鎵晶體管，無法在計算機芯片和個人電子產品中得到運用。 而最新的碳納米晶體管獲得的電流是硅晶體管的1.9倍，性能首次超越目前技術水平最高的硅晶體管。材料工程學教授邁克·阿諾德和帕德瑪·高帕蘭領導的研究團隊在《科學進展》上發表的最新研究論文介紹。 碳納米管內往往會混雜一些金屬納米管，這些金屬納米管會造成電子裝置......閱讀全文
清華團隊首次實現具有亞1納米柵極長度的晶體管
晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管，并帶來性能上的提升。近日，清華大學集成電路學院教授任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在
我國學者首次實現具有亞1納米柵極長度的晶體管
晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管，并帶來性能上的提升。近日，清華大學集成電路學院教授任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在線發
晶體管圖示儀
半導體管圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線的儀器，并可測量低頻靜態參數。是從事半導體管研究制造及無線電領域工作者的一種必不可少的儀器。具有雙簇顯示功能特有場效應管配對和測試功能,5kV高壓測試臺。 技術參數： 集電極范圍 20uA/DIV～1A/DIV 分15檔，誤差不
國家納米中心在層狀材料光電晶體管方向取得新進展
二維層狀材料是近些年興起的一類新興材料，通常其層內以較強的共價鍵或者離子鍵結合而成，而層間則是依靠較弱的范德華力堆疊在一起。尤其是2004年單原子層石墨烯的發現極大地推動了二維材料的發展，使其迅速成為研究前沿。然而眾所周知，本征石墨烯由于受到六重對稱性保護幾乎沒有能隙，限制了其在半導體器件中的應
科學家認為硅烯或將趕超石墨烯－實現后來居上
7年前，硅烯還只是理論學家的一個夢想。受石墨烯——由僅是單原子厚度的按蜂窩狀晶格排列的碳原子構成的著名材料——熱情的驅動，研究人員推測，硅原子也可能形成類似的表面。而且如果它們可以被用于制作電子產品，硅烯膠片將會使半導體工業實現微型化的終極夢想。 美國得克薩斯州立大學納米材料研究人員、參與制作
彭練矛院士：沒有芯片，就沒有中國未來的現代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm當前，云、大數據、人工智能、個性化醫療和健康監控領域，未來數字化和智慧化的發展，都離不開芯片。毫不夸張地說，芯片就是現代技術的驅動力，中國未來如果沒有芯片，就沒有中國未來的現代化。集
硅烯首次被成功制成晶體管－可獲得更快更小計算機芯片
由意大利和美國科研人員組成的團隊首次創建出基于硅烯材質的晶體管。他們發表在《自然·納米科技》雜志上的論文描述了如何研制這種出了名挑剔的材料。 硅烯是一種由單個原子厚度的硅制成的材料，就像石墨烯一樣，被證明具有超凡脫俗的導電性能，這意味著它在未來電子產品中將大有用武之地，特別是人們對獲得更快或更
碳納米管晶體管極具抗輻射能力
美國海軍研究實驗室電子科技工程師18日表示，他們發現由單壁碳納米管制作的晶體管(SWCNT)具有在苛刻太空環境中生存的能力。目前他們正在研究電離子輻射對晶體結構的影響，以及支持開發以SWCNT為基礎的用于太空輻射環境的納米電子設備。 實驗室材料研究工程師科里·克瑞斯表示，環繞地球外圍的電粒
常見的半導體材料特點
常見的半導體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。有以下共同特點：1．半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間2．半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著
美研制出能在室溫工作的石墨烯變頻器
美國科學家首次制造出能在室溫下工作的石墨烯變頻器，克服了用石墨烯制造電子設備時的重要障礙——能帶隙。最新研究有望讓科學家們用石墨烯制造出數字晶體管，從而大大擴展石墨烯在電子設備領域的應用。 石墨烯是從石墨材料中剝離出來、由碳原子組成的二維晶體，只有一層碳原子的厚度，是迄今最薄
硅納米線將繪電子器件新版圖
雖然我國目前已經初步實現了硅納米晶體管、傳感器等納米器件的部分功能，但是離納米器件的大規模集成還有相當大的距離。 美國斯坦福大學研究人員已經研發出用硅納米線制成的“紙電池”。 當全世界的科學家一窩蜂地關注碳納米管時，殊不知，另一種一維納米材料硅納米線同樣能給人帶來意想不到的驚喜。
碳納米管/石墨烯：納米材料技術的領頭羊
納米技術是通過對納米尺度物質的操控來實現材料、器件和系統的創造和利用，例如，在原子、分子和超分子水平上的操控納米技術的發展正越來越成為世界各國科技界所關注的焦點，誰能在這一領域取得領先，誰就能占據21世紀科學的制高點。納米碳材料是指尺度至少有一維小于100納米的碳材料。納米碳材料主要包括四種類型
可在p型與n型間轉換的新式晶體管問世
據美國物理學家組織網12月21日（北京時間）報道，德國科學家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當p型晶體管又可當n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設備更緊湊；科學家們也可用其設計出新式電路。相關研究發表在最新一期的《納米快報》雜志上。 目前，大部分電子設備都包含兩類不同的場效應晶體管：
微波低噪聲晶體管
主要用于微波通信、衛星通信、雷達、電子對抗以及遙測、遙控系統中的接收機前置放大器。微波晶體管的噪聲越低,接收機的靈敏度越高,這些系統的作用距離越大。 雙極型晶體管的噪聲來源有：熱噪聲、散彈噪聲、分配噪聲和1/ 噪聲（也稱閃爍噪聲）。場效應晶體管是多數載流子器件，故不存在少數載流子引起的散彈噪聲
微波晶體管相關簡介
在微波波段工作的晶體管。微波波段指頻率在300兆赫～300吉赫的電磁波譜。按功能分類，微波晶體管包括微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管。按結構分類，微波晶體管可分為雙極型晶體管和場效應晶體管。 由于工作頻率高，微波晶體管必須具有微米或亞微米的精細幾何尺寸。隨著薄層外延技術、淺結擴散或離子注入技
晶體管類型要用對
晶體管當作開關使用，已是司空見慣的事情了，今天硬是要找點話題來講講，且聊聊在接GND和接VCC的開關電路中，用不同類型的晶體管究竟會產生什么樣不同的影響？一、圖例說明（圖片來自《電子電氣工程師必知必會》）二、原理分析圖3－4，人個覺得兩種控制電路都可用，只是左邊電路設計會存在一些問題，故曰不
單層二維材料可批量制造超薄晶體管
一種叫做二硫化鉬的二維新材料可以在硅襯底上長出單層薄膜，為柔性電子器件的生產開辟了條新路。 用僅有幾個原子那么厚的薄膜做出微型、柔性的電路，一直是研究人員的夢想。然而，把這類二維薄膜生長到需要的規模，并生產出成批可靠的電子設備一直是個難題。 現在，材料科學家們已經找出一種方法，可以在直徑10
晶體管新材料讓電子設備“溫柔體貼”
手套變成體征隨身監測器，智能手機可以疊成小塊、平板電腦可以卷進口袋……日前，天津大學李榮金、胡文平教授團隊首次利用“二維有機單晶可控制備”新技術，研制出新型高性能有機晶體管材料，為下一步制造高性能柔性紅外探測器奠定了材料基礎，也這意味著“薄如蟬翼、溫柔體貼”的可穿戴電子設備夢想距離實現又前進一大
蘇州納米所印刷碳納米管薄膜晶體管研究取得進展
印刷電子技術是最近5年來才在國際上蓬勃發展起來的新興技術與產業領域，印刷電子技術成為當今多學科交叉、綜合的前沿研究熱點。高性能新型印刷電子墨水的研制成為印刷電子技術最關鍵的技術之一。半導體碳納米管與其他半導體材料相比不僅尺寸小、電學性能優異、物理和化學性質穩定性好，而且碳納米管構建的晶體管等電子
美國：全新“負電容”晶體管－為高效晶體管研發帶來希望
2008年，美國普渡大學的一個研究團隊曾提出利用負電容原理制造新型低功耗晶體管的概念。近日，加州大學伯克利分校的研究人員通過實驗對這一概念進行了驗證演示。研究人員利用一層極薄的二硫化鉬二維材料半導體層作為臨近晶體管柵極的溝道。然后，利用鐵電材料氧化鋯鉿制作新型負電容柵極的關鍵組件。該研究內已于2
基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世
據美國物理學家組織網2月17日（北京時間）報道，最近，科學家研制出了金屬性和半導體性之間平衡達到最優化的新式碳納米管，并使用這種納米管制造出了薄膜晶體管（TFT），未來有望研制出諸如電子書和電子標簽等高性能、透明的柔性設備。 日本名古屋大學的科學家孫東明（音譯）和同事以及芬
美首次制造出不使用半導體的晶體管
據美國每日科學網站6月21日報道，美國科學家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點，實現量子隧穿效應，制造出了沒有半導體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設備時代。 幾十年來，電子設備變得越來越小，科學家們現已能將數百萬個半導體集成在單個硅芯片上。該研究的領導者、密歇根理工大學的物理學家
新型有機半導體材料的特性及應用介紹
其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子墻紙等變成現實。昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有機電
固體所在構筑異質復雜一維納米結構方法上取得進展
與單一材料的一維納米結構相比，由異質材料組成的復雜形貌一維納米結構，具有更多的功能與更好的性能。這種異質復雜一維納米結構在各種納米器件與多功能復雜系統中具有廣泛的應用前景。此前，人們根據高純鋁在陽極氧化過程中所形成孔的直徑與陽極氧化電壓成正比的關系，采用在陽極氧化過程中降低電壓、
納米硅碳研發機構落戶福建
5月13日，中科院海西研究院與福建遠翔化工有限公司簽訂協議共同建設納米硅碳材料工程技術中心，國內首家專門從事研究開發納米硅碳材料與應用技術的研發機構正式落戶福建邵武。 地處邵武的福建遠翔化工有限公司董事長王承輝高興地告訴記者，“納米硅碳材料工程技術中心”項目總投資6000萬元，預期產值達2
硅納米負極是什么材料
研究人員發現硅納米作為負極理論容量可以達到4200，而目前的石墨負極材料理論也就372，行內很多廠家想用納米硅作為負極材料，問題是硅充電時體積膨脹好幾倍，有出現粉化現象，基本證明納米硅不能單獨作為負極材料，現在比較流行的是硅碳復合材料，緩解硅的膨脹，我們咸陽六元碳晶公司也是初入此行，也想研究開發硅碳
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前
元素半導體的結構
具有半導體特性的元素，如硅、鍺、硼、硒、碲、碳、碘等組成的材料。其導電能力介乎導體和絕緣體之間。主要采用直拉法、區熔法或外延法制備。工業上應用最多的是硅、鍺、硒。用于制作各種晶體管、整流器、集成電路、太陽能電池等方面。其他硼、碳（金剛石、石墨）、碲、碘及紅磷、灰砷、灰銻、灰鉛、硫也是半導體，但都尚未
美首次研制出穩定的單原子層鍺
據物理學家組織網4月10日報道，60年前，鍺被用來做成了第一塊晶體管，但隨后被硅取代，現在，美國科學家首次成功制造出了單原子厚度的鍺——單鍺(germanane)，其電子遷移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶體管。研究發表在最新一期的美國化學會《納米》雜志上。 單鍺的結構同由單
美實驗室研發全球最小晶體管“突破物理極限”
現代生活已經離不開電子芯片，而芯片上的晶體管體積越小，處理器的性能提升得越多。美國勞倫斯伯克利國家實驗室教授阿里·加維領導的一個研究小組近日利用新型材料研制出全球最小晶體管，其晶體管制程僅有1納米，被媒體驚嘆為“突破物理極限”。 據印度NDTV新聞網8日報道，按照傳統的芯片制造工藝，7納米堪稱