SiC和GaN技術將成為太陽能逆變器制勝關鍵
根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN 和SiC器件進入市場，將為小型系統帶來最大的競爭優勢，如用于住宅和商業太陽能設施的微型逆變器和小型串式逆變器。這些強大的優勢包括：更低的均化電力成本，提升通過租賃和電力購買協議而銷售的電能利潤，此外，這些器件還能改善性能和可靠性。 “采用寬禁帶半導體即碳化硅和氮化鎵，是太陽能逆變器的制勝之道，”Lux Research分析師Pallavi Madakasira表示，“采用SiC和GaN器件帶來的性能優勢是如此之多，以至于逆變器廠商能夠在顯著降低均化電力成本的同時，收取更高的價格。” GaN和SiC器件優勢大點兵 ......閱讀全文
SiC和GaN技術將成為太陽能逆變器制勝關鍵
根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN
電子器件的光伏逆變器研制及示范應用項目通過驗收
?? 近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。?? 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET
GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 不過，姑且不論摩爾定律（Moors
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
國家863計劃先進能源技術領域2014年度備選項目征集指南
一、指南方向與內容 1.太陽能發電 1.1噴墨打印制備超細柵電極太陽電池中試線關鍵技術研究 下設1個研究方向。 1.1.1噴墨打印制備超細柵電極太陽電池中試線關鍵技術研究(前沿技術類，國撥經費控制額1000萬元，企業牽頭) 研發適用于晶硅、薄膜等不同類型太陽電池的低
氧化鎵和碳化硅功率芯片的技術差異
SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。例如，
蘇州納米所GaN/Si功率開關器件研究獲得重要突破
隨著能效標準不斷提高，基于硅（Si）材料的功率器件改進空間越來越小；人們將目光投向新材料領域，以期實現根本改進，從而引發新一代功率器件技術的革命性突破。眾多新材料中，基于氮化鎵（GaN）的復合材料最引人關注。GaN基功率器件具有擊穿電壓高、電流密度大、開關速度快、工作溫度高等優點
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體
磁性電流傳感器的應用都有哪些
轉換和電源管理應用越來越需要具有可靠性、耐久性和準確性的電流傳感器。下一代電子設備將面臨重大的技術挑戰，這將影響電源管理性能和效率。必須仔細選擇用于監測負載吸收的功率以及控制和保護電源所需的電流傳感器，在霍爾效應傳感器、變壓器、并聯電阻器或AMR傳感器中，不時選擇最shi合具體應用的解決方案。根
新能源技術的EMI分析設計（二）
如果我們采用的IGBT功率器件開關改變電流的通路，可以測量到續流二極管反向恢復特性有高頻振蕩環流（本體二極管的反向恢復特性！）如果我們將IGBT采用寬禁帶半導體SiC器件就可以改善其反向恢復電流的問題，同時提高效率！SiC器件體二極管的1200V／10A反向恢復特性如下：反向恢復電流小不到3A；注意
物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
GaN：實現－5G－的關鍵技術
日前，由 EETOP 聯合 KEYSIGHT 共同舉辦的“2020 中國半導體芯動力高峰論壇”隆重舉行。Qorvo 無線基礎設施部門高級應用工程師周鵬飛也受邀參與了這次盛會，并發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 首先，周鵬飛給我們介紹了無線基礎設施的發展。他表示
2024半導體展會|2024中國（上海）氮化(GaN)和碳化硅(SiC)博覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
SiC－MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（二）
我們用混動汽車和電動汽車的80kW牽引電機逆變器電源模塊做了一個SIC MOSFET與硅IGBT的對比測試，結果顯示，在許多關鍵參數方面，650V SIC MOSFET遠勝硅IGBT。這個三相逆變器模塊采用雙極性PWM控制拓撲，具有同步整流模式。兩種器件都是按照結溫小于絕對最大額定結溫80％
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。 通常，國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高
6億元天狼芯半導體功率三代半封裝測試基地或落地浙江
集微網消息，2月15日，深圳天狼芯半導體有限公司與浙江省臺州市仙居縣就天狼芯—功率三代半封裝測試基地項目進行洽談。仙居財政國資消息顯示，天狼芯半導體董事長曾健忠指出，該項目若在仙居成功落地，預計分三期建設完成，總投資預計為6億元：一期投資為1.5億元，建設SiC、GaN封裝測試產線；二期擬投資2億元
逆變器的簡介
逆變器是把直流電能（電池、蓄電瓶）轉變成交流電（一般為220V,50Hz正弦波）。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成。廣泛適用于空調、家庭影院、電動砂輪、電動工具、縫紉機、DVD、VCD、電腦、電視、洗衣機、抽油煙機、冰箱，錄像機、按摩器、風扇、照明等。在國外因汽車的普及率較高外出工作或外出旅游
方波逆變器簡介
方波逆變器輸出的交流電壓波形為方波。此類逆變器所使用的逆變線路也不完全相同，但共同的特點是線路比較簡單，使用的功率開關管數量很少。設計功率一般在百瓦至千瓦之間。方波逆變器的優點是：線路簡單、價格便宜、維修方便。缺點是由于方波電壓中含有大量高次諧波，在帶有鐵心電感或變壓器的負載用電器中將產生附加損
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
SiC－MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（一）
摘要：傳統硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電
SiCLED研究中取得進展－為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
半導體兩大原材料淺析
半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅 （Si）、鍺 （Ge） 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 （GaAs）、磷化銦 （InP） 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化鋅 （ZnSe） 等寬帶半導體原料為主。第三代半導體原料具有
碳化硅－(SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
2025深圳國際第三代半導體技術及封測展覽會
2025深圳國際第三代半導體技術及封測展覽會Shenzhen?Third?Generation?Semiconductor?Technology?and?Testing?Exhibition基本信息時間：2025年4月9-11日地點：深圳會展中心展會簡介?????2025深圳第三代半導體技術及封測展